世界最大の半導体生産企業であるインテルが、65nm（ナノメートル、1nmは10億分の1m）製造プロセス技術を用いた次世代半導体の試作品生産に成功した。
インテルは31日、65nm製造プロセスを用い、現在生産している製品より30%小さい35nmサイズのトランジスタスイッチを搭載した70Mb（メガビット）メモリーチップを生産したと発表した。インテルは、シリコンに集積されるトランジスタのサイズを縮小することで、1個のチップにはるかに多くのトランジスタを集積できるようになったと説明した。
インテルは、今回の65nm製造プロセスを活用した試作品生産により、同じサイズのチップに現在より2倍多いトランジスタが搭載されることになり、ボールペンの芯程度の大きさに1000万個のトランジスタを集積できるようになったと伝えた。
インテルはまた、今回の試作品生産成功により、チップのサイズを大きくせずにはるかに多くのデータを保存できる強力なメモリーチップが誕生することになったと付け加えた。インテルは65nm製造プロセスを活用して生産した半導体を来年中に販売する計画だ。
一方、今回の65nm製造プロセスによる試作品生産成功により、2年ごとに半導体の集積度が2倍程度増加するという「ムーアの法則」は引き続き受け継がれることになった。